日本研发氧化镓制备新技术，成本猛降99%

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，据日经新闻报道，该国东北大学吉川彰教授与初创企业合作，研发新一代半导体材料—氧化镓的新制造技术，成本约为传统方法的百分之一。

传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器，熔化其中的材料，制造结晶要制造直径约 15 厘米的实用性结晶，仅容器就需要 3000 万～5000 万日元，还存在结晶的质量不够稳定等课题据称由于不需要昂贵的容器等原因，利用新方法能以目前约 100 分之 1 的成本制造氧化镓结晶

该团队表示将力争在 2 年内制造出直径 6 英寸以上的结晶，推动产业化。近日，有报道称，韩国30家半导体企业，大学以及研究所组建了碳化硅产业联盟，目的是为了应对急速增长的碳化硅，氮化镓(GaN)，氧化镓(Ga2O3)等宽禁带半导体所引领的新型功率半导体市场。

本站了解到，氧化镓作为功率半导体新一代材料受到期待，据称氧化镓的电力损耗在理论上仅为硅的约 1/3400，碳化硅的约 1/10如果纯电动汽车的马达驱动用电源采用氧化镓制的功率半导体，就算电池容量相同，也能行驶更远距离Camp，A 和东北大学的团队将利用新方法降低此前成为瓶颈的生産成本，推动实用化

TrendForce 预估，因疫情趋缓，所带动的 5G 基地台射频前端，手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升，预期今年 GaN 通讯及功率元件营收分别达 6.8 亿和 6100 万美元，年增 30.8% 及 90.6%。与此同时，日本企业NovelCrystalTechnology(NCT)与日本酸素控股旗下的大阳日酸，东京农工大学合作实现了氧化镓功率半导体的6英寸成膜，突破了只能在最大4英寸晶圆上成膜的技术瓶颈，此技术有望把成本降至碳化硅功率半导体的1/3。。

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