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目前大部分闪存芯片生产100+层的芯片是很多厂商已经跃跃欲试200层的生产工艺

2022-11-12 14:00 新商报网                     来源: 证券之星   阅读量:14096   

日前,美光表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片,它也是第一家正式宣布将NAND芯片扩展到200层以上的公司周三,韩国SK海力士也宣布开发了一种超过200层的闪存芯片

广美的闪存芯片由232层存储单元组成,数据传输速度将比其前身的176层芯片快50%,封装尺寸将比前几代产品小28%该芯片将主要针对人工智能和机器学习等以数据为中心的领域,并满足其低延迟和高吞吐量的要求

韩国SK海力士公司今天也宣布,已经开发出超过200层的NAND闪存芯片这种芯片由238层存储单元组成,比美光最新的芯片多了6层

SK海力士表示,238层芯片是最小的NAND闪存芯片与上一代相比,数据传输速度和功率提高了50%,读取数据的能耗也降低了21%

SK海力士最新芯片将于2023年上半年开始量产,美光表示,将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

闪存几乎用于所有主要的电子终端,如智能手机,电脑和USB驱动器闪存在市场上不受欢迎的两个重要因素是成本和存储密度

自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术以来,芯片层的竞争一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的焦点。

与CPU和GPU仍在竞相提高晶体管密度,用更尖端的技术大幅提升芯片性能不同,在NAND市场,目前,增加层数是大幅提高存储密度的关键所以NAND闪存从最初的24层上升到现在的200层

不过也有专家表示,在闪存芯片领域,每个厂商都有自己的技术架构和演进路线图,并不完全一致,每个厂商都有自己的技术工艺特点在底层,3D堆栈确实可以显著提升闪存的性能,但伴随着层数的增加,性能提升也会遇到瓶颈,需要在技术,成本和性能之间找到平衡点总的来说,层数不是闪存技术的绝对领先者,而是综合性价比

Mei 232 NAND采用类似三星第七代闪存的双栈技术把232层分成两部分,每部分116层,从一个又深又窄的洞口叠起来通过蚀刻导体和绝缘体的交替层,用材料填充孔,并处理以形成位存储部分,制造出成品芯片

蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔成为增加NAND闪存的层数的技术障碍。

200层楼的野心

目前大部分闪存芯片还在生产100+层的芯片,但是很多厂商已经跃跃欲试200层的生产工艺。

早在2019年,SK海力士就做了一个大胆的设想,在2025年推出500层的堆叠产品,2032年实现800层以上。

今年早些时候,美国西部数据及其合作伙伴日本驰夏表示,将很快推出超过200层的BiCS+存储芯片,计划于2024年正式上市。

参与层竞争的三星电子也被曝将于今年年底推出超过200层的第八代NAND闪存业界预测可以达到224层,传输速度和生产效率提升30%

中国闪存后起之秀mdashmdash据媒体透露,长江存储今年也将从128层突破到232层,年底实现量产不过,长江存储并未对此做出回应

在目前全球闪存格局中,三星电子虽然是技术的缔造者,过去也一直引领市场发展,但在200层以上的竞争中,略落后于美光和SK海力士这两家公司虽然进入市场较晚,但技术进化势头凶猛,可能会保持技术领先地位

未来,据欧洲知名半导体研究机构IMEC预测,1000层NAND闪存并不遥远,或将在10年内出现层数之争依然是NAND闪存的主旋律,就看角落里能不能有人超车了

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责任编辑:白鸽
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